tCL (CAS Latency): CAS延迟时间，即从列选通到数据输出的延迟时间，MR0决定。内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间，一般单位为tCK（即：单位时钟周期）

CAS 控制从接受一个指令到指令执行之间的时间。

当列地址发出以后就会触发数据传输，但是数据从存储单元到内存芯片 IO 接口上还需要一段时间，这段时间就是非常著名的 CL(CAS Latency)，也就是列地址选通潜伏期以时钟为单位。较低的CAS周期能减少内存的潜伏周期以提高内存的工作效率。因此只要能够稳定运行操作系统，我们应当尽量把CAS参数调低。反过来，如果内存运行不稳定，可以将此参数设大，以提高内存稳定性。

tRCD：行地址寻址到列地址寻址（读写）的延时时间，

影响的是行激活后到可以访问该行内具体数据的准备时间。较低的 tRCD 有助于减少访问新行时的延迟。它对性能的影响通常小于 tCL，但仍然很重要。

DDR寻址流程是：先指定BANK地址，再指定行地址，然后指列地址最终的确寻址单元。在实际工作中，BANK地址与相应的行地址是同时发出的，此时这个命令称之为“行激活”（Row Active）。在此之后，将发送列地址寻址命令与具体的操作命令（是读还是写），这两个命令也是同时发出的，所以一般都会以“读/写命令”来表示列寻址。 tRCD 全称是 RAS-to-CAS Delay(RAS至CAS延迟，RAS就是行地址选通脉冲，CAS就是列地址选通脉冲)，也就是行寻址到列寻址之间的延迟，是在行有效(行激活)到读/写命令发出的这段时间间隔叫做tRCD,可以理解为行选通周期，时序图如下

tRAS (Active to Precharge Delay): 行选通到预充电的延迟时间，即行选通到下一次行选通开始之间的时间间隔。内存行有效至预充电的最短周期

如果tRAS等待周期太长，系统会因为无意义的等待而降低性能。若tRAS等待周期太短，则会导致已被激活的行地址会更早的进入非激活状态，这样可能会因为缺少足够的时间而无法完成数据的突发传输

tRAS的值一般设置为  tRAS（推荐）= tCL + tRCD + tRTP

为提高系统性能，应尽可能降低tRAS的值，但是如果发生内存错误或系统死机，则应该增大tRAS的值。

tRTP (Read to Precharge Delay): 读到预充电的延迟时间，即读操作完成到预充电开始之间的时间间隔。

tRP (RAS Precharge Time): 行选通的预充电时间，Precharge---->行激活(指定bank地址，行地址)