根据您提供的要点，关于AT24C128C EEPROM：

1. 内存组织与写入限制

   AT24C128C EEPROM 内存组织与操作规则

   内存分为256页，每页64字节。写入操作必须限制在同一页面内，跨页写入需拆分为多次操作。读取操作无页面限制，支持任意地址连续读取。

典型电路设计中，WP引脚默认通过上拉电阻接VCC实现写保护状态。启用写入需主动将WP引脚拉低。

跨页写入处理方法

当写入数据跨越边界时，拆分数据为两部分：

计算当前页剩余

I2C通信注意事项

器件地址格式为1010[A2][A1][A0]（A2/A1/A0由硬件引脚决定）。连续写入时：

页写入时序（n≤64）：

START | DEV_ADDR(W) | MEM_ADDR_H | MEM_ADDR_L | DATA1...DATAn | STOP

性能参数参考

典型操作时序示例

写入单字节时序：

START | DEV_ADDR(W) | MEM_ADDR_H | MEM_ADDR_L | DATA | STOP

1. 写保护（WP）功能控制机制

   WP引脚电平直接控制写入权限：

2. 低电平（0V/GND）时允许写入和擦除
3. 高电平（VCC）或悬空时禁止所有写入操作
4. 第一部分写入当前页剩余空间
5. 第二部分从下一页起始地址继续写入
6. 发送起始条件+器件地址（写模式）
7. 发送16位内存地址（高字节优先）
8. 发送数据字节（单次最多64字节）
9. 页写入时间：5ms（典型值）
10. 时钟频率：支持100kHz（标准模式）和400kHz（快速模式）
11. 数据保持期：100年（典型值）

12. • 该芯片内存被划分为256页，每页大小为64字节。

13. 

14. • 关键操作规则：执行写入操作时，不能跨页写入。即一次连续写入的数据必须全部位于同一个64字节的页面内。如果待写入数据的首尾地址跨越了页面边界，则必须将其拆分为两次操作。

    • 读取操作无此限制，可以连续读取任意地址，不受页面边界约束。

15. 写保护（WP）功能

    • 写保护功能由 WP引脚​ 的电压电平直接控制：

      • 当 WP引脚连接到低电平（0V或GND）​ 时，允许​ 对芯片进行写入和擦除操作。

      • 当 WP引脚连接到高电平（VCC）或悬空（通常会被内部或外部上拉）​ 时，禁止​ 任何写入操作，芯片进入写保护状态。

    • 您提到的“I2C里面默认使用写保护”通常意味着：在常见的电路设计中，WP引脚默认通过上拉电阻接至高电平（VCC），从而使芯片默认处于写保护状态。若要允许写入，必须在电路设计或软件控制中主动将WP引脚拉低。

测试案例 写150个字节；