概述：

PC5200 是一种增强型硅基氮化镓（GaN-on-Silicon）晶体管。氮化镓是一种宽禁带半导体，具有高功率密度。氮化镓晶体管的特点是没有体二极管，因此反向恢复电荷为零。这种氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）是一种高性能增强型氮化镓高电子迁移率晶体管，可实现优异的高频和高效率运行。该氮化镓功率高电子迁移率晶体管结合了最高的dv/dt抗扰性以及行业标准的低轮廓、低电感、底部冷却表面贴装DFN5x6/DFN8X8封装，使设计人员能够实现简单、快速且可靠的解决方案。

特性：

 700V增强型功率开关

 易驱动栅极要求

 极高的开关频率

 快速且可控的下降和上升时间

 零反向恢复损耗

应用：

 快速电池充电

 LED照明驱动器

 功率因数校正

 LLC转换器

 无线电力传输