1、输出特性曲线

mos管和BJT一样，也分截止区、饱和区、放大区，截止区是图中最底下实线的下方区域，饱和区是图中虚线左边的区域，放大区是图中虚线右边的区域。

截止区就很简单了，原理是Vgs小于Vth，没有使得达到增强型沟道的形成的电压，所以Id接近于零，无论Vds如何变化。

nmos是如何进入饱和区，放大区的呢？

首先说饱和区，当Vgs大于Vth，且Vg-Vd大于Vth时，形成的沟道完整存在。（因为如果Vg和Vd之间的电压差小于Vth的话，漏极附近就形成不了沟道，导致沟道被夹断。这个与源极是同理的，Vgs小于Vth时源极附近是不存在沟道的）一个完整存在的沟道就像是一个电阻，他的值就是上面输出特性曲线饱和区的斜率：

再说放大区，当Vgs大于Vth，且Vg-Vd小于Vth时，漏极附近的沟道被夹断，不是一个完整的沟道了，这时由于夹断处和漏极之间存在电压差，形成了电场，从源极过来的电流还是能在这里漂移过去，形成电流Id，但此时的电流Id已经对Vds不敏感了，而与Vgs强相关。

2、转移特性曲线

转移特性曲线就是把Vds定死为某个值，然后画出的以Vgs为自变量，Id为因变量的函数曲线，上面的转移特性曲线我们可以看到，在Vgs还很小的阶段，至少是小于Vth的阶段，Id的值为零，到等于Vth时，Id受到Vgs的强影响，但当Vgs慢慢增大，增大到Vg-Vd大于Vth时，mos管进入饱和区，Vgs对Id的影响变的不大了，取而代之的是Vds对Id的强影响。这一点其实可以与上面将饱和区和放大去这一块串通起来。

3、总结

饱和区由Vds影响Id，放大区由Vgs影响Id。

以上是我最近对mos管学习的总结，如果有错误希望海涵。