双向可控硅电路中的典型电压波形
这是通过高压隔离探头观察到C2上的电压波形, 随着可调电阻的变化, 充电过程也随着发生变化。在一个周期内, 可以看到前面, 是C2充电过程, 当充电电压超过了双向触发二极管导通电压之后,大约30V。特别是, 其中在晶闸管导通瞬间, 还出现了电压突降, 剩下的就是平顶的电压。当然,其中也有令人感到意想不到的电压波形,比如在晶闸管截止的时候, 下面的电压似乎也有变化。文观察了双向可控硅电路中的
调压模块中的典型电压波形
01 可控硅电路
一、前言
前两天分析了这款双向可控硅模块的电路。 分析了其中电路设计的特点。 下面, 利用隔离高压探头测量电路中典型信号波形, 也为将来应用这个电路提供更加实际的感性经验。

二、典型信号
首先, 观察一下电路中定时电容C2上的电压。 它对来自上面电阻的电流进行积分, 右边的这一块是在晶闸管触发后对C2进行放电, 提高模块输出低压时的稳定性。 之所以使用整流桥连接两个放电电阻, 主要是消除放电电阻对C2在充电阶段的影响。 双向触发二极管的导通电压大约30V左右, 触发电流会在双向晶闸管的第一象限和第四象限进行触发。 下面观察一下C2上的工作电压波形, 我们可以了解这个工作过程。![]()

▲ 图1.2.1 模块的电路图

这是通过高压隔离探头观察到C2上的电压波形, 随着可调电阻的变化, C2的电压波形也随之发生变化。 在一个周期内, 可以看到前面, 是C2充电过程, 当充电电压超过了双向触发二极管导通电压之后, 大约30V。 C2就会对晶闸管的门极进行放电。 电压降低了一半之后, 触发二极管关断。 接下来, C2通过放电回路进行放电, 为下一半周的充电做好准备。 在负半周, 整个充电触发放电过程是一样的。 只是电压的极性反过来了。

接下来, 观察输出负载上的电压波形。 随着调压电位器变化, 输出电压导通相位也在变化。 当然,其中也有令人感到意想不到的电压波形, 比如在晶闸管截止的时候, 本应截止输出电压似乎也有变化。 有可能是因为电路中晶闸管并联的RC电路通过的小部分电流引起的。 另外, 晶闸管导通之后, 不知道为什么, 这个电压波形出现了平顶失真。 这究竟是为什么, 我在观察到这个波形的时候也是吃了一惊。

为了解开输出电压平顶的问题, 观察一下模块的输入电压波形。 这一下就清楚了。 原来模块的输入交流电压就已经出现了平顶。 特别是, 其中在晶闸管导通瞬间, 还出现了电压突降, 剩下的就是平顶的电压。 实验中, 使用了一个隔离变压器,再串联自耦变压器。 有可能是变压器出现了过压饱和。 同时输出的电抗比较大, 使得可控硅输入电压出现了比较大的失真。

※ 总 结 ※
本文观察了双向可控硅电路中的典型电压波形, 通过这些电压波形, 也验证了根据调压模块绘制的电路图的正确性。 观察这些电压波形, 也为后面设计光耦调压打下基础。 为设计能够突破传统的调相电路做些准备。

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