下图为简化后的反激开关电源拓扑，主要有输入直流电压源V_IN、高频变压器T、原边MOS管Q、副边整流二极管D、输出电容C与负载R组成。MOS管的开通或者关断，可以划分两种工作状态进行分析。

1）MOS开通状态：等效电路如下图所示

t0-t1时间段：输入电压V_IN通过MOS管直接加载于变压器T的初级绕组N_P，变压器初级绕组的电压为上正下负。由于初级绕组是一个励磁电感，加载V_IN电压的时候，初级绕组电流I_P线性增加，变压器初级电感储能。MOS管Q的源漏极（V_DS）电压=0；
根据变压器T的同名端，此时变压器副边绕组N_S的电压方向为下正上负，副边整流二极管D反向截止，副边绕组I_S为0，负载R由输出电容供能；
2）MOS关断状态：等效电路如下图所示：

T1-T2阶段，MOS管关断，变压器的励磁电感不能突变，因此原边绕组的电压呈现上负下正，由于MOS关断，原边断路，原边电流和MOS的电流均为零，MOS的V_DS等于输入电压和原边绕组电压之和。
根据变压器同名端，副边绕组N_S的电压上正下负，副边二极管正向导通，变压器励磁能量向负载释放，并补充上一阶段输出电容C损失的能量，副边二极管的电流I_S线性下降；
总的波形如下图所示：

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