1. 嵌入式封装技术概述

嵌入式元件封装（Embedded Component Technology, ECT）是指将电阻、电容、电感、IC等电子元件集成到PCB内部层间，而非传统表面贴装（SMT）。四层板结构（Top-L1-L2-Bottom）为嵌入式元件提供了更优的布线空间和信号完整性，适用于高密度、高性能电子设备，如5G通信、航空航天、医疗电子等领域。

2. 核心工艺流程

（1）基板设计与腔体加工设计阶段：

使用EDA工具（如Cadence、Mentor）进行叠层规划，确定元件埋入位置及走线阻抗控制。

需考虑热膨胀系数（CTE）匹配，避免层压后因热应力导致分层或翘曲。

腔体加工：

激光钻孔/机械铣削：在L1/L2层铜箔上精确加工出元件安装槽，深度控制在±25μm以内。

表面处理：采用等离子清洗或化学微蚀刻，确保腔体表面洁净，提高结合力。

​（2）元件贴装与固定

被动元件（R/C/L）：

采用导电银胶（Isotropic Conductive Adhesive, ICA）或焊膏（SAC305）固定。

贴片精度要求≤30μm，需使用高精度贴片机（如ASM SIPLACE）。

主动元件（IC）：

适用芯片埋入（Die Embedding）工艺，需进行金线键合（Wire Bonding）或倒装焊（Flip-Chip）。

（3）层压与介质填充

预浸料（Prepreg）选择：

常用低流胶PP（如松下MEGTRON 6），防止树脂溢出导致元件移位。

层压参数：

温度180-200℃、压力300-400psi，时间60-90分钟，确保树脂完全填充空隙。

采用真空层压机（如Multiline）减少气泡残留。

（4）互连导通与表面处理

激光盲孔（Laser Via）：

使用UV/CO₂激光在元件电极上方打孔，孔径50-100μm。

电镀铜填孔：

通过化学沉铜（Electroless Copper）+电镀铜（Electroplating）形成导电通路。

表面处理：

可选化金（ENIG）、化银（Immersion Ag）或OSP，确保焊接可靠性。