NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。

        执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时)，更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。这样，当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素。
　　1、NOR的读速度比NAND稍快一些。
　　2、NAND的写入速度比NOR快很多。
　　3、NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。
　　4、大多数写入操作需要先进行擦除操作。
　　5、NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。

        NOR器件带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。

        NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。NAND读和写操作采用512字节的块，这一点有点像硬盘管理此类操作，很自然地，基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。

        选型考量总结如下：
        1.大容量存储方案用Nand，例如固态硬盘
        2.小容量存储，且常用于读的，用Nor，例如stm32从Flash进行boot，此时多用Nor方案
        3.Nand使用起来相比Nor更为复杂，需要复杂的I/O接口驱动
        4.DRAM和SRAM是易失性存储，Flash是非易失性存储，二者有本质区别

        区别总结如下：
        1.Nor贵、集成度低、随机存储、读速度快、写速度慢、不易坏块
        2.Nand便宜、集成度高、连续存储、读速度慢、写速度快、容易坏块
        3.Nor一般用于代码存储，比如嵌入式控制器的内部程序存储空间，Nand一般用在大数据量存储，例如SD卡，固态硬盘等。

        注意：stm32中Flash是用来存储代码的小容量存储器，所以是Nor Flash。