目录

一，驱动电路

1，基本用途。

2，示例电路

二，推挽电路

1.基本电路形式

2.常见的推挽驱动电路

三，电平转换电路

1，电路1

2，电路2

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一，驱动电路

1，基本用途。

        一般用以控制器输出小信号（驱动能力只有十几ma）控制外部功率较大的器件时（几百ma），作为“跳板”，放大小信号的功率。

2，示例电路

        如上图，控制信号为高电平时，三极管Q4打开（深度饱和）。12V电源经继电器1、4脚的线圈，Q4集射极到地，形成通路，进而线圈通电，继电器触发。

        控制信号为低电平时，三极管Q4闭合（截止）。继电器1、4脚的线圈不能通电，继电器恢复。

        其中，R9下拉电阻可保证B、E极间电容加速放电，加快三极管截止；也可以给三极管B极一个已知逻辑状态，防止控制输入端悬空或高阻态时，B极电平不定，误触发继电器。

        R8为B极的限流电阻，保证Ib大小合适，可让三极管快速进入深度饱和状态，也不至于电流过大，烧毁三极管。

        D1为续流二极管（一般是肖特基二极管），泄放感性负载在关断瞬间的反向电流，不至于产生高压，击毁三极管或其他相连器件。R10为续流二极管的限流电阻，防止续流二极管上的电流过大，一般都可以不加。

二，推挽电路

1.基本电路形式

        推挽电路也是驱动电路的一种形式，它由一个NPN和一个PNP管组成。其中“推”形象表明了在输入信号为高电平时，Q1打开，Q2关闭，VCC电源将自身电荷经Q1集射极推进负载的过程；“拉”形象表明了在输入信号为低电平时，Q1关闭，Q2打开，-VCC电源将负载存储的电荷经Q2集射极拉进来的过程。

        相较于普通驱动电路，电流推进拉出的路径阻抗小，所以推挽电路对负载的充放电速度快，功率大。若负载为开关器件的控制端（栅极），则开关器件的导通截至所需的时间就短，适合高速开关的应用场景。

        VCC与-VCC电源可以根据负载的特性选取，高速开关的应用场景下，常采用正负电源。

2.常见的推挽驱动电路

        如上图，其中Rg作为后极MOSFET的栅极驱动电阻，可调整“推”的过程中，流入栅极的电流大小。R1作为下拉电阻，与“拉”过程的电流途径形成并联。可加快MOSFET关断时间。

        C1、C2是MOSFET明明是压控型器件，但为什么还需这么大驱动电流的最大原因。在“推”“拉”电流的过程中，都在给C1、C2充放电，而电容电压不能突变，这限制了类似结构器件的开关速度。所以需要有一个瞬间大电流，迅速将栅极电压建立起来。

         如上图，该电路可分开设置后级MOSFET的开通关断时间。开通时间由Rg1调整，关断时间由Rg1与D1调整。

通常，任何器件的控制端（栅极、基极）都要增加一定的抗干扰和保护措施，如：上拉电阻、下拉电阻、RC滤波吸收、钳位二极管、稳压二极管、ESD、TVS、保险丝、光耦等。

三，电平转换电路

1，电路1

        如上图，左侧为输入，右侧为输出，实现了单向电平转换。VDDA与VDDB为两个不同的电平（但依旧共地）。VDDA与输入端为相同电平，VDDB与输出端为相同电平。

        其中C1为加速电容，可缩短三极管在深度饱和与截至状态的切换时间，使电平转换的速率加快。但照样不适用于波特率过高的应用,在输入信号频率较高时，需实测输出端信号的上升下降沿是否可以跟上变化。

        当TXD1为低电平时，Q1导通（深度饱和状态），RXD1电平非常接近于TXD1，实现低电平转换。

        当TXD1为高电平时（VDDA），Q1关断（截止状态），RXD1电平被R3上拉至VDDB，实现高电平转换。

2，电路2

         如上图，左侧为输入，右侧为输出，实现了单向电平转换。VDDA与VDDB为两个不同的电平（但依旧共地）。VDDA与输入端为相同电平，VDDB与输出端为相同电平。此电路输入与输出信号同相，若需反向，只使用Q2三极管即可。

        当TXD2为低电平时，Q2关断，Q3基极被R6拉高，Q3导通（深度饱和状态），RXD2接地为低电平，从而实现低电平转换。

        当TXD2为高电平时，Q2开通，Q3基极接地为低电平，Q3关断（截止状态），RXD2被R7上拉至VDDB，从而实现高电平转换。

        综上，三极管属于电流驱动型，加上电路存在的寄生电感与寄生电容，转换速率受限，都不适用于输入信号频率较高的应用（几百KHZ以下），需实测输出端信号的上升下降沿是否可以跟上输入信号的变化（上升下降沿不能太缓）。