除了电阻,电容便是我们用的最多的器件,几乎每个电路都有它,那么你真的了解它吗,在电路中选择什么材质的电容以及多大的容值是否有考量呢?接下来对它性能进行详细的介绍。

(下一篇对电容的特性进行详细介绍)

一、电容的定义

      两个相互靠近的导体,中间夹一层不导电的绝缘介质,这就构成了电容器。在电路图中通常用字母C表示电容元件,电容的基本单位是F(法拉),因为F的单位较大,1F=106UF,一般不用。常见及常用的的电容单位是uF、nF和pF,换算关系为:1uF=103nF=106pF。符号如下:

      电容是指在给定电势差下存储电荷的能力;电容为两个导体间电荷Q与电势差V的比值。

      UA-UB为两平行板间的电势差,εr为相对介电常数,k为静电力常量,S为两板正对面积,d为两板间距离。这个可以得出一个比较有意义的结论:电容正比于电容器面积和介电常数e,反比于电容器的距离d。也就是说,面积越大,介电常数越高,电容越大,距离越远,电容越小。

二、串联

电容串联,等效容值变小同时ESR会变大,等效耐压变大

容值:

,为N个电容串联后的等效容值,容量为N者的倒数之和。

耐压:两个电容串联后耐压为两者耐压之和,比如:C1 100uf 50V、C2 100uf 25V,在并联后其容值是50uf,耐压是75V。

ESR容抗:类似电阻计算,串联后容抗相加变大。

三、并联

电容并联,等效容值变大同时ESR会减小,等效耐压取最小值,

容值:

,为N个并联后的等效容值,容量为N者之和。

耐压:两个电容并联后耐压为两者耐压最低的那个值,比如:C1 47uf 50V,C2 100uf 25V,那么并联后,容值是147uf 耐压是25V。

ESR容抗:类似电阻计算,并联后容抗相加变小。电容的串并联与电阻相反。

四、电容选型参数

  1. 容量:电容存储电荷的能力,单位是法拉(F),常用单位有微法(μF)、纳法(nF)和皮法(PF)。
  2. 额定电压:电容能够承受的最大直流电压,超过该电压可能会导致电容损坏。
  3. 等效串联电阻(ESR):电容在实际使用中表现出的电阻特性,ESR越低,滤波效果越好。
  4. 温度系数:电容容量随温度变化的特性,温度系数越小,电容在不同温度下的稳定性越好。
  5. 封装形式:电容的物理尺寸和形状,常见的有贴片(SMD)和直插(THT)两种形式。
  6. 寿命:电容在正常使用条件下的预期使用寿命,尤其对于电解电容,寿命受温度和工作条件影响较大。
  7. 物理尺寸:包括电容器的直径和高度等,这影响电容器的安装和占用空间。
  8. 介质材料:电容器中用于隔离两个导电板的材料,如陶瓷、塑料薄膜、电解液等。
  9. 介质类型:根据介质材料的不同,电容器可以分为陶瓷电容器、薄膜电容器、电解电容器等。
  10. 极性:对于电解电容器,需要区分正负极,不能接反。

五、电容种类

  1. 安规电容

安规电容是既能满足电容特性,同时还能满足在失效时不对人体造成伤害的一种电容器。安规电容可分为X电容和Y电容。X电容和Y电容按照安全等级分又可分为X1、X2、X3和Y1、Y2、Y3、Y4。

特点:失效后,不会导致电击,不危及人身安全。

  2.瓷介电容器(CC)

以陶瓷为介质的电容器称为瓷介电容,也称陶瓷电容。按结构形式分类,又可分为圆片形、管形、鼓形、筒形、叠片、独石、块状、穿心等多种,按介质材料特性可分为Ⅰ类和Ⅱ类。最广的就是贴片多层陶瓷电容器(MLCC),目前材质有NPO(COG)、X7R、Z5U、Y5V,其中NPO属于Ⅰ类,适用于高频回路和要求损耗小、电容量稳定的电路。X7R、Z5U、Y5V属于Ⅱ类,用作隔直流、旁路、耦合和滤波等。

用途:1类电容主要应用于高频电路中。2类广泛应用于中、低频电路中作隔直、耦合、旁路和滤波等电容器使用。

瓷介电容器又分1类电介质(NPO、CCG);2类电容包括X7R、X5R、Y5V、Z5U。

特点:

(1)1类瓷介电容器具有温度系数小、稳定性高、损耗低、耐压高等优点。最大容量不超过1000pF,此类电容器电性能最稳定,几乎不随温度、电压和时间的变化而变化,适用于低损耗,稳定性要求高的高频电路。常用的有CC1、CC2、CC18A、CC11、CCG等系列。

(2)2类瓷介电容器的材料介电系数高、容量大(最大可达0.47μF)且体积小、损耗和绝缘性能较1类更差。

X7R、X5R:具有较高的介电常数,容量比Ⅰ类电容器高,具有较稳定的温度特性,适用于容量范围广,稳定性要求不高的电路中,如隔直、耦合、旁路、鉴频等电路中。

Y5V:是所有电容器中介电常数最大的电容器,但其容量稳定性较差,对温度、电压等条件较敏感,适用于要求大容量,温度变化不大的电路中。

Z5U:其温度特性介于 X7R 和 Y5V 之间,容量稳定性较差,对温度、电压等条件较敏感,适用于要求大容量,使用温度范围接近于室温的旁路,耦合等,低直流偏压的电路中。

   3.独石电容器

是以钛酸钡为主要原料,经烧结而成的多层超小电容。具有性能可靠、耐高温、耐湿、容量大(pF~1μ F)、漏电流小等优点。其缺点是工作电压低,工作电压低(耐压低于100 V),主要用于谐振,旁路,耦合,滤波等。用的有CT4 (低频) 、CT42(低频);CC4(高频)、CC42(高频)等系列。

   4.云母电容器(CY)

云母电容器是采用云母作为介质,在云母表面喷一层金属膜(银)作为电极,按需要的容量叠片后经浸渍压塑在胶木壳(或陶瓷、塑料外壳)内构成。

性能稳定,分布电感小,精度高,损耗小,绝缘电阻大,具有良好的温度特性和频率特性,工作电压高(50 V~7 kV)。但云母电容由于受介质材料的影响容量不能做的太大,而且造价相对其它电容要高等等。常用的有CY、CYZ、CYRX等系列。通常在高频电路中用于信号耦合、旁路、调谐等。故云母电容器是其他电容器不能代替的。广泛应用于对电容的稳定性和可靠性要求高的场合。

   5.薄膜电容器

薄膜电容属于无极性、有机介质电容。薄膜电容是以金属箔或金属化薄膜为电极,以聚乙酯、聚丙烯、聚苯乙烯或聚碳酸酯等塑料薄膜为介质制成。故薄膜电容依塑料薄膜的种类又被分别称为聚乙酯电容(又称Mylar电容)、聚丙烯电容(又称PP电容)、聚苯乙烯电容(又称PS电容)和聚碳酸酯电容。

膜电容具有体积小、容量大、稳定性比较好、绝缘阻抗大、频率特性优异(频率响应宽广)等特点,而且介质损失很小。薄膜电容广泛使用在模拟信号的交连,电源噪声的旁路、谐振等电路中。

6.铝电解电容器

有极性铝电解电容器是将附有氧化膜的铝箔(正极)和浸有电解液的衬垫纸,与阴极(负极)箔叠片一起卷绕而成。外型封装有管式、立式。并在铝壳外有蓝色或黑色塑料套。

优点是容量范围大,一般为1~10 000 μF,额定工作电压范围为6.3 V~450 V。缺点是介质损耗、容量误差大(最大允许偏差+100%、–20%)耐高温性较差,存放时间长容易失效。通常在直流电源电路或中、低频电路中起滤波、退耦、信号耦合及时间常数设定、隔直流等作用。注意:不能用于交流电源电路。在直流电源中作滤波电容使用时极性不能接反。长脚为正极,无色带处为正极。

7.钽电解电容器

钽电容全称是钽电解电容,是属于电解电容的一类,相比于铝电解电容,它价格会更贵。钽电解电容器有两种形式:

箔式钽电解电容器。内部采用卷绕芯子,负极为液体电解质,介质为氧化钽。型号有 CA30、CA31、CA35、CAk35等系列。

钽粉烧结式。阳极(正极)用颗粒很细的钽粉压块后烧结而成。封装形式有多种。型号有CA40 、CA41、CA42、CA42H、CA49、CA70(无极性)等系列。

钽电容主要分为贴片钽电容和引线钽电容两种形式,并且它是有极性的,其中贴片钽电容有标记的一端是表示正极,这个标示法刚好是和部分铝电解电容是相反的(也就是有标记的一端是负极);而如果是引线钽电容,它的正极是长腿的那一根。钽电容千万不要接反,不然就可能造成电容被烧焦,严重的情况甚至会发生爆炸。

优点是介质损耗小、频率特性好、耐高温、漏电流小。缺点是生产成本高、耐压低。广泛应用于通信、航天、军工及家用电器上各种中 、低频电路和时间常数设置电路中。钽电解电容器由于其极性和耐压特性,不适用于交流电路。

8.玻璃釉电容器

玻璃釉电容器,是一种常用电容器件。介质是玻璃釉粉加压制成的薄片。因釉粉有不同的配制工艺方法,因而可获得不同性能的介质,也就可以制成不同性能的玻璃釉电容器。玻璃釉电容器具有介质介电系数大、体积小、损耗较小等特点,耐温性和抗湿性也较好。适合半导体电路和小型电子仪器中的交、直流电路或脉冲电路使用。容量一般在 10p - 0.1μ 之间,额定电压为 63 - 400V,其稳定性较好、损耗小、还能耐高温(200 摄氏度)。

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