一、半桥DC/DC变换器的设计参数

  • 输入电压:60V DC
  • 输入电流:0-2A
  • 输出电压:28V
  • 输出电流:0-3A
  • 功率等级:<100W
  • 开关频率:20kHz

二、硬件设计

2.1 半桥DC/DC变换器的硬件参数

半桥DC/DC变换器可运行为Buck变换器,反过来可运行为Boost变换器。

图1为半桥DCDC变换器的硬件资源示意图,包括直流电容器C1和C2、功率开关管Q1和Q2、电感器L、功率器件驱动电路、采样电路、主控板。

表1为给定设计参数下,半桥DCDC变换器的各硬件选型与设计,可直接用

图1 半桥DC/DC变换器硬件资源示意图

1 半桥DCDC变换器的硬件参数

类别

型号

备注

电容器C1

100V/220uF

电解电容

电容器C2

100V/220uF

电解电容

电感器L

1mH

额定电流5A

功率开关管

IRF540N

100V/33A

驱动电路

关键芯片UCC21520

详细见博客

主控板

关键芯片STM32F407

详细见博客

采样电路

电压传感器HVS025A

详细见博客

2.2 详细设计步骤(用作Buck变换器设计为例)

1 电感器L的选型

电感器L的电流纹波一般为输出电流的20%~40%。本设计中,假设电感电流纹波为输出电流的30%,即满足下式

电感器L的最小电感值为(CCM模式)

电感器L的峰值电流

考虑设计余量,电感器L参数为:1mH,饱和电流5A

2)输入电容C1选取

输入电容必须满足高频RMS电流能力,计算公式:

输入电容器C1的容值计算

考虑设计余量,电容器C1选用电解电容100V/220uF,并联陶瓷电容100V/1uF进行高频解耦。

3) 输出电容C2选型

ESR最大允许值

输出电容C的容值计算公式为

考虑设计余量,电容器C2选用电解电容100V/220uF,并联陶瓷电容100V/1uF进行高频解耦。

4) 功率开关管选型与驱动电路设计

功率开关管的峰值电压为直流侧电压(60V),功率器件的峰值电流取决于负载的最大电流值(3A)。因此,功率开关管可选IRF540N(100V/33A)。功率开关管的驱动电路采用UCC21520驱动芯片。

功率开关管与驱动电路设计详见往期CSDN博客。

5) 主控芯片选型与主控板设计

对于大多数电源类题目(如三相逆变器、PFC、电源变换器等),主控芯片推荐选用 STM32F407,理由如下:

  1. 配备硬件FPU,可高效执行浮点运算与坐标变换,适合实现复杂控制算法;
  2. 拥有丰富的PWM和ADC资源,能够满足中高复杂度控制系统的实时性与精度需求;
  3. 与DSP28335相比,功耗更低,在电源类题目的效率指标上更具优势;

主控板设计详见往期CSDN博客。

6) 采样电路设计

为保证良好的隔离性、安全性和高测量精度,采样电路采用直流电压传感器+调理电路的设计。

直流采样电路设计详见往期CSDN博客。

三、设计实例

3.1. 半桥DC/DC变换器原理图和PCB

1半桥DC/DC变换器的原理图

2 半桥DC/DC变换器的PCB

3.2. 半桥DC/DC变换器的实物图

3 通用半桥DC/DC变换器的整体实物图

4 半桥DC/DC变换器的实物图

4 驱动电路的实物图

5 直流采样电路的实物图

6 主控板的实物图

3.3. 测试结果

7 半桥DCDC的输入与输出(输入62.7V/1.3A,输出28.97V/2.7A

8 半桥DCDC的输出电压纹波(纹波峰峰值=74.4mv

相关博客如下:

  1. 功率开关管与驱动电路设计详见博客链接:电赛电源速成--功率开关管选型与驱动电路设计_半桥与全桥的区别-CSDN博客
  2. 主控板设计祥见博客链接:电赛电源速成—主控芯片选型与主控板设计_电赛电源题要用ti的芯片吗-CSDN博客
  3. 采样电路的详细设计见博客链接:电赛电源速成—直流采样与交流采样的设计_交流电流信号采样处理电路-CSDN博客
  4. 单相逆变器硬件设计和软件设计链接:手把手教你打电赛—单相逆变器硬件设计_单相并网逆变器参数设计-CSDN博客手把手教你打电赛—单相逆变器软件设计_ti逆变器软件设计-CSDN博客

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