首先介绍mos管常见损耗

1. 导通损耗 (Conduction Loss)

导通损耗是MOS管在完全导通状态下由于导通电阻(Rds(on))产生的损耗。

计算公式：P_conduction = I_rms² × Rds(on) × D

其中需要格外注意的是，如果是带有软开关实现的电路里，需要观察GS和DS波形，如果软开关实现不好，可以采取使用更小Coss的mos管（因为更大的输出电容会让DS电压掉电速度变慢，导致损耗变大）

其中输出电容损耗P_coss = 0.5 × C_oss × Vds² × f_sw

2. 驱动损耗 (Gate Drive Loss)

驱动损耗是为MOS管栅极电容充放电所需的能量。

计算公式：P_drive = Q_g × V_gs × f_sw

3.反向恢复损耗 (Body Diode Reverse Recovery Loss)

当MOS管体二极管从导通状态切换到截止状态时产生的损耗。

计算公式：P_rr = Q_rr × Vds × f_sw。

关于选型参数

主要先看mos管工作耐压即VDS；

第二点RDSON，决定导通时损耗；Qg决定驱动损耗；Coss决定了软开关是否可以良好实现