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一、NMOS晶体管

二、PMOS晶体管

总结

一、NMOS晶体管

• 结构与导通条件：NMOS晶体管通常在其栅极（G）电压高于源极（S）电压且高于阈值电压时导通。
• 电流流向：当NMOS导通时，电流从漏极（D）流向源极（S）。这是因为它的导电路径是在漏极到源极之间，电子通过晶体管从源极（S）进入，最后从漏极（D）流出。
• 总结：对NMOS晶体管，导通时的电流方向是从D到S（即漏极到源极），符合传统的电流定义（正向电流为电子的反向流动）。

二、PMOS晶体管

• 结构与导通条件：PMOS晶体管通常在其栅极（G）电压低于源极（S）且低于阈值电压时导通。
• 电流流向：当PMOS导通时，电流从源极（S）流向漏极（D）。这是因为正向电流是电子的反向流动，实际的电流方向是空穴（正电荷）从源极流向漏极。
• 总结：对PMOS晶体管，导通时的电流方向是从S到D（源极到漏极），与NMOS相反。

总结

• NMOS导通时，电流从D到S（漏极到源极）。
• PMOS导通时，电流从S到D（源极到漏极）。