一、主辅源结构

主辅源采用反激变换器拓扑，输入供电有母线供电、电池辅源供电、电网辅源供电。开关管为一个高耐压NMOS功率管。主控芯片采用ICE3BS03LJG，其主要参数如下：

器件芯片引脚分布如下：

在本电路中1号引脚串联100nF电容接到器件的8号引脚GND，也是整个反激电路原边的地。2号引脚为闭环控制的反馈信号接入端，调控器件的输出。3号CS引脚为电路的电流保护引脚，切记一定要串联一个小电阻（几百毫欧）接地，同时并联一个几纳法的电容接地，去除干扰，防止误保护。4号引脚为栅极控制信号输出端，可串联栅极电阻，或者并联电阻电容调节管子开关速度。5号引脚HV输入提供过压和欠压保护。7号引脚VCC为芯片电源，一般通过辅助绕组供电。8号引脚为整个芯片的参考电位。

二、芯片周围各个引脚电路设计

1.BL引脚

通过一个电容接地。

2.反馈引脚

闭环电路中最重要的控制电路之一，一下展开详细分析。

通过光耦三极管实现了输出电压采样和反馈回路的隔离，实现了功率回路和控制回路的隔离，低压侧和高压侧的隔离。其次是反馈回路中的关键器件TL431，它可以看作一个电压基准芯片，其由一个 2.5V 精密基准电压源、一个电压比较器和一个输出开关管组成，基准端的输出电压与精密基准电压源比较，当参考端电压超过2.5V时，TL431立即开启。

在上图所示的电路中，10k、30k和10k的电阻串联，确定了输出电压稳定时为12V，其对输出电压进行分压从而引入反馈。如果输出增大，反馈量增加，TL431 的三极管分流增加，导致电阻分压增大。进而导致 V0 下降。显然，当参考端电压等于参考电压时，这个深度的负反馈电路一定是稳定的，此时 V0=(1+R1/R2)Vref。

需要注意的是，选择电阻时必须保证 TL431 工作的必要条件，即通过阴极的电流必须大于1mA。

3.过流保护引脚

先通过1nf电容接地，滤除掉高频干扰；之后通过一个100Ω电阻和三个0.82Ω电容串联组成过流检测电路。

4.栅极驱动输出电路

串联10Ω栅极电阻，其次在栅极和源极之间并联一个10Ω电阻和1nf电容串联电路，增大器件的导通时间，减小dv/dt；其次在栅极电阻两端并联一个肖特基二极管串联10欧姆电阻电路。

5.HV欠压保护，高压启动电路

电阻分压，高压启动。

7.VCC供电电路

辅助绕组取电，整流，稳压二极管稳压。