在上一篇中，我们围绕常见MOS驱动方案展开了介绍，而当我们的应用场景延伸到用单片机驱动大功率的MOS管时，那再用单片机直接驱动就无法满足我们的要求了，今天我们讲述一种用mos管驱动大功率负载的方案--推挽驱动。

推挽驱动的本质是通过互补对称的“上拉+下拉”电路，为功率器件的栅极（或基极）提供双向强电流驱动。

导通加速：上拉电路主动注入大电流，快速给栅极电容充电，让功率器件瞬间导通；

关断加速：下拉电路主动抽取大电流，快速释放栅极电容电荷，让功率器件极速关断。

对比传统单电阻驱动（依赖电阻限流充放电），推挽驱动的开关速度提升数倍，同时避免了单电阻驱动的 “电流瓶颈”，特别适合高频、大负载场景。

下图是我们用到的mos管的数据手册，我们可以看出VGS（th）：1.35~2.35V，虽然我们单片机3.3V，按理说用它驱动也能打开啊，但是我们需要mos管（mos管是压控型器件，它的打开程度和加在GS两端的相关，加的电压越高等效电阻越小，当然不能超过它的耐压值哈）来做开关，所以我们希望mos的等效电阻越小越好，我们可以看到数据手册给我们提供了关于RDS（on）的两个参数，一个是4.5V，一个是10V,很显然我们的单片机无法提供给我们这么大的电压;

我们在上一篇中给大家总结了若要实现MOS管的快速、稳定开关，我们应该满足哪些需求，我们不只要考虑驱动电压，还要给mos管提供足够的驱动电流，因此我们还要考虑如何增加我们的驱动电流，毕竟我们单片机提供的驱动电流是有限的，IO口的总驱动电流是4~20mA，单个IO口的驱动电流不会超过5mA.上述电路图就完美的满足了我们的要求，接下来我带大家逐步分析一下。

①当单片机提供的是低电平时，mos管导通，负载工作

三极管Q5没达到导通电压，处于截止状态，相当于“断路”；VCC+12V→R7直接给到三极管的基极（为mos管开启提供了大的驱动电压），Q3导通，Q3集电极没有接任何的电阻，那ic的增长就没有限制，能跟着ib的变化而变化，即满足ic=β*ib，（为mos管提供了大的驱动电流）此时Q3处于放大区，如果还想要进一步地提升驱动电流，我们可以适当地减小R7，但是也不能太小，我们要保证在给单片机给高电平时我们的Q5要达到饱和状态；

②当单片机提供的是高电平（3.3V）时，mos管关断

当给高电平时，Q5导通，Q5是处于饱和状态，此时Vce的压差非常小；Q4也导通，如图，我们就为电容放电提供了一条快速泄放的通路，这就是推挽电路的挽，主动抽取大电流，快速释放栅极电容电荷，让功率器件极速关断。