MOS管的三极都会存在以下三个电容，分别是：Cgs,Cgd,Cds

输入电容Ciss=Cgs+Cgd

输出电容Coss=Cgd+Cds

反向传输电容Crss=Cgd，也叫米勒电容

然而，这三个等效电容是构成串并联组合关系，他们并不是独立的，而是相互影响的，其中一个关键电容就是米勒电容Cgd

如果选择MOS管寄生电容比较大，电源IC内部的驱动能力又不足时，需要在驱动电路上增强驱动能力，驱动电路如虚线框所示

这种驱动电路作用在于，提升电流提供能力，迅速完成对于栅极输入电容电荷的充电过程。这种拓扑增加了导通所需要的时间，但是减小了关断时间，开关管能快速开通且避免上升沿的高频振荡。

一、MOS管栅极驱动信号出现平台，或者顿挫，以及二次导通现象，严重影响驱动效率。

除了本身的RDS阻抗外，另一个就是因为MOS管的米勒效应，尤其在高频开关电路中，延长开关频率、增加功耗、降低系统稳定性。

如果信号上升沿出现尖峰，并迅速下降，出现二次开启情况。

一般是由于米勒效应+驱动能力不足引起的。解决方案是可以在MOS管栅极并联一个电容1nF~10nF。此方法可以减缓尖峰的幅度，避免二次导通，造成MOS发热。