大电流下测量MOS管的导通电阻:TPH1R403NL
数据手册给出, 在栅极电压4.5V的情况下,漏极导通电阻只有 1.7个毫欧姆。可是在前几天的测试中,测量它的导通电阻都在25个毫欧姆左右。现在手边有一个可以输出60A的低压电源,下面制作测试电路板, 重新测量 TPH1R403的导通电阻。重新铺设了测试电路, 在10A到20A的电流下, 测量得到的导通电阻只有 1.8毫欧姆。总结一下, 之前的测量错误结果应该是测量PCB电路的带来的问题。说实在的
- MOS管导通电阻与导通电流之间的关系
- 一款表贴的MOS管:TPH1R403NL
大电流测量MOS管导通电阻
01 MOS管导通电阻
一、导通电阻
这款低压MOS管的型号为 TPH1R403NL, 它具有非常低的导通电阻。 数据手册给出, 在栅极电压4.5V的情况下, 漏极导通电阻只有 1.7个毫欧姆。 可是在前几天的测试中, 测量它的导通电阻都在25个毫欧姆左右。 感觉非常奇怪。 有人建议在大电流下进行测量, 看是否能够得到准确导通电阻数值。 现在手边有一个可以输出60A的低压电源, 下面制作测试电路板, 重新测量 TPH1R403的导通电阻。



二、测试电路
AD\Test\2025\September\LargeCurrentMOS.PcbDoc
设计简单的测试电路。 MOS管的栅极电压由 PT端口加入。 施加5V的栅极电压。 漏极电流通过PIN端口加入。 漏极与源极之间的电压由PV端口送到数字万用表进行测量。 设计单面PCB, 适合一分钟制板。 一分钟之后得到测试电路板, 下面焊接测试。

三、测试结果
焊接电路, 给MOS管栅极施加5V偏置电压。 下面提供10A的漏极电流。 测量漏极和源极之间的电压。 说实在的, 在测量之前, 我的心理还是非常忐忑, 不知道是否可能引起MOS管炸管, 你们说呢?

现在打开DPK560A电源。 漏极电压只有 18mV。 这就意味着, 这个MOS管的导通电阻的确只有 1.8个毫欧姆。 再来一次, 依然漏极电压只有 18mV左右。 现在调节一下DPK560的输出电流, 增加一些。 漏极电压上升到21mV。 继续增加输出电流。 使得输出电流增加到 20A。 可以看到此时漏极电压上升到 37mV。 这一下, 问题就非常清楚了。 这款MOS管在栅极电压5V的情况下, 导通电阻确实不到2个毫欧姆。



※ 总 结 ※
本文测量了低压MOS管的导通电阻。 重新铺设了测试电路, 在10A到20A的电流下, 测量得到的导通电阻只有 1.8毫欧姆。 这一次, 终于看到了这个MOS管的优良的导通性能。 总结一下, 之前的测量错误结果应该是测量PCB电路的带来的问题。

■ 相关文献链接:
更多推荐



所有评论(0)