01 MOS管导通电阻


一、导通电阻

  这款低压MOS管的型号为 TPH1R403NL,  它具有非常低的导通电阻。  数据手册给出, 在栅极电压4.5V的情况下, 漏极导通电阻只有 1.7个毫欧姆。  可是在前几天的测试中, 测量它的导通电阻都在25个毫欧姆左右。 感觉非常奇怪。  有人建议在大电流下进行测量, 看是否能够得到准确导通电阻数值。  现在手边有一个可以输出60A的低压电源, 下面制作测试电路板, 重新测量 TPH1R403的导通电阻。

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二、测试电路

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  设计简单的测试电路。  MOS管的栅极电压由 PT端口加入。 施加5V的栅极电压。  漏极电流通过PIN端口加入。  漏极与源极之间的电压由PV端口送到数字万用表进行测量。  设计单面PCB, 适合一分钟制板。  一分钟之后得到测试电路板, 下面焊接测试。

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三、测试结果

  焊接电路,  给MOS管栅极施加5V偏置电压。  下面提供10A的漏极电流。  测量漏极和源极之间的电压。 说实在的, 在测量之前, 我的心理还是非常忐忑, 不知道是否可能引起MOS管炸管, 你们说呢?

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  现在打开DPK560A电源。 漏极电压只有 18mV。 这就意味着, 这个MOS管的导通电阻的确只有 1.8个毫欧姆。  再来一次, 依然漏极电压只有 18mV左右。  现在调节一下DPK560的输出电流, 增加一些。  漏极电压上升到21mV。  继续增加输出电流。  使得输出电流增加到 20A。  可以看到此时漏极电压上升到 37mV。  这一下, 问题就非常清楚了。 这款MOS管在栅极电压5V的情况下, 导通电阻确实不到2个毫欧姆。

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  结 ※


  文测量了低压MOS管的导通电阻。  重新铺设了测试电路,  在10A到20A的电流下, 测量得到的导通电阻只有 1.8毫欧姆。  这一次, 终于看到了这个MOS管的优良的导通性能。  总结一下, 之前的测量错误结果应该是测量PCB电路的带来的问题。

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