随着全球对可再生能源和清洁电力系统的需求不断增长，光储充一体化市场为实现能源的高效利用和优化配置提供了创新解决方案。在此趋势引领下，碳化硅器件凭借其高频、高效、耐高温、耐高压等特性，可以实现节能降耗，小体积，重量低，高功率密度等特性，在新能源汽车、光伏储能、轨道交通、智能电网等工业电源领域具有明显优势，正在加速替代传统硅基器件‌。

SiC MOSFET管的封装多样化，常规分插件（TO-247、TO220F)和贴片(DFN、TO-263、TOLL）封装。贴片封装的器件在小空间内提供高度可靠的电源设计的能力正在成为许多领域的竞争优势，包括工业、高性能电源和服务器应用。

TOLL封装MOS的应用及优势

TOLL封装的英文全称为Transistor Outline Leadless，顾名思义便是无引线功率器件。该封装外形相较于常见的D²PAK（TO263）封装而言，其小体积更小，更贴合PCB板，同时具备低封装电阻、低寄生电感、低热阻、低电压过冲、高电流等特点。非常适合用于大功率、大电流、高可靠性等应用场景，它在电动汽车、储能、电源、逆变器、光伏等产品上广泛应用。

TOLL封装SiC MOSFET是一种常用的封装方式，它具有以下特点：

高集成度：TOLL封装MOS管在制造过程中采用微小尺寸的芯片，使得集成度高，能够在有限的空间内实现更多的功能。

低功耗：TOLL封装MOS管具备低功耗的特点，能够有效延长电池寿命，提高设备的使用时间。

高可靠性：由于TOLL封装MOS管采用高品质的材料和严格的生产工艺，因此具有较高的可靠性，能够在恶劣的环境下正常工作。

使用TOLL封装SiC MOSFET时，需要注意以下几点：

静电防护：由于TOLL封装MOS管对静电敏感，因此在使用前需要进行静电防护措施，避免损坏元器件；

导热性能：TOLL封装MOS管对散热要求较高，需要注意散热设计，保证元器件能够正常工作；

焊接温度：在焊接TOLL封装MOS管时，需要控制好焊接温度，避免因过高的温度导致元器件受损；

存储环境：TOLL封装MOS管需要在低温、干燥、无腐蚀性气体的环境下进行存储，避免出现质量问题；

封装规格：根据具体应用需求，选择合适的TOLL封装MOS管规格，确保其电气性能和尺寸适配。

采用TOLL封装的产品可以提高MOS管的开关速度，降低开关损耗。由于TOLL封装具有更小的体积和占板面积，可以节省PCB的应用空间，能降低产品的散热成本。低的封装电阻和寄生电感使得TOLL封装在应用中能够减少功率损耗，提高系统的整体效率。TOLL封装有更高的效率和更低的系统成本、更少的并联数量和冷却需求、更优秀的EMI性能。TOLL封装具备出色的散热性能和低的电流密度，避免了高电流和高温下可能导致的电迁移，从而提高了产品的可靠性。

TOLL封装的SiC MOS产品介绍

产品图

650V产品线（内阻12mΩ-内阻35mΩ）

650V，内阻12mΩ的产品资料

650V，内阻35mΩ的产品资料

1200V产品线（内阻16mΩ-45mΩ-80mΩ160mΩ）

1200V，内阻16mΩ的产品资料

1200V，内阻45mΩ的产品资料

1200V，内阻80mΩ的产品资料

1200V，内阻160mΩ的产品资料

TOLL封装的SiC MOS产品应用领域

①电动汽车

②DC-AC逆变器

③高电压DC-DC转换器

④关模式电源(SMPS)

⑤功率因数校正模块电源

⑥电机驱动器

总结

着下游行业对半导体功率器件轻量化、高转换效率、低发热特性需求的持续增加，爱仕特从性能、成本等多维度协调发展，在系统向碳化硅转型时，不断研发新技术新产品，满足功率器件更高功率和更低损耗的发展需求，利用高耐用性的封装实现产品的更高可靠性、更长使用寿命，助推碳化硅功率器件在“3060双碳”战略重大背景下的规模应用和实践。

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