肖特基二极管是一种重要的半导体器件，它以低正向压降、高速开关性能著称，在众多电子电路中发挥着关键作用。不同温度条件下，不同的电流条件下，正向的导通的压降都会不一样。下面为你梳理它的核心特点、应用场景和选型要点。

核心特性与基本概念

肖特基二极管（Schottky Barrier Diode, SBD）采用金属-半导体结结构，这与传统PN结二极管有根本不同。这种结构决定了其独特的性能特点，核心概括如下：

• 核心优点：

  • 低正向压降（VF）：通常在0.2V至0.45V之间，低于普通二极管的约0.7V。能显著降低导通损耗，提升效率。

  • 高速开关：几乎没有反向恢复时间（trr）或反向恢复时间极短（可小到几纳秒），适用于高频电路。

  • 低功耗，高效率：得益于低正向压降。

• 主要缺点：

  • 反向漏电流（IR）较大：尤其在高温下更明显。

  • 反向耐压较低：早期型号一般不超过100V，限制了其应用范围。不过近年来技术有进展，150V和200V的高压SBD已经上市，甚至已有3300V的碳化硅（SiC）肖特基二极管被研制出来。

下表直观对比了肖特基二极管与普通快恢复二极管的主要差异：

参数/特性	肖特基二极管 (SBD)	超快恢复二极管	传统硅整流二极管
正向压降 (VF)	低 (0.2V-0.45V)	中等 (0.7V-1.1V)	高 (约0.7V或更高)
反向恢复时间 (trr)	极短（几乎无）	短（几十纳秒）	长（微秒级）
反向漏电流 (IR)	较大，对温度敏感	较小	小
反向耐压 (VR)	相对较低	高	高
主要应用场景	低压、高频整流，续流，钳位	高压、高频整流	工频整流

🛠️ 典型应用场景

肖特基二极管的特性使其在以下领域不可或缺：续流、二次整流和快速保护等场合。

• 高频整流：在开关电源（SMPS）、DC-DC转换器中，利用其低压降、高速特性，进行二次侧高频整流，提升效率。

• 续流二极管：在电感负载（如继电器、电机驱动）和开关电源（如Buck、Boost电路）中，为开关管关断时感应电流提供通路，保护器件并抑制电压尖峰。

• 功率因数校正（PFC）：在PFC电路中，碳化硅（SiC）肖特基二极管因几乎无反向恢复电流，可显著降低开关损耗，提升效率。

• 短路保护：利用其低压降、高速特性。如下二极管可以耐压100V同时压降小，当有10mA电流那么有0.45V压降。

BAT46X芯片压降如下：

RB751S-40;长晶USCJ)：

📊 关键参数详解

理解肖特基二极管的数据手册，需重点关注以下参数：

参数名称	描述与解读	实例参考 (型号)
最大重复峰值反向电压 (VRRM)	能持续施加的最大反向峰值电压。选择时需留足裕量，通常为工作电压的1.5倍以上。	1N5817: 20V；10V45: 45V
平均整流输出电流 (IF(AV))	允许连续通过的最大正向平均电流。需考虑散热条件。	RBR2MM30BTFTR: 2A；10V45: 10A
正向压降 (VF)	在特定正向电流下产生的压降。越低越好，效率关键。	RB531XN: 0.43V @ 0.1A；10V45: 0.32V @ 10A
反向泄漏电流 (IR)	在特定反向电压下流过的漏电流。越小越好，尤其关注高温特性。	RBR2MM30BTFTR: 80µA @ 30V；RB531XN: 0.03mA @ 10V
反向恢复时间 (trr)	电荷从导通到完全关断所需时间。SBD的显著优势。	通常小到几纳秒，或无明显的反向恢复时间
最大结温 (Tj)	半导体结能承受的最高温度。工业级常为150℃，车规要求更高。	RBR2MM30BTFTR: 150℃
封装形式	决定散热能力和安装方式。功率越大，封装散热要求越高。

肖特基二极管 SS12手册

二极管数据手册内容

1. 安森美的手册

1. 二极管类型

• • 讨论了肖特基二极管（Schottky Diode），也称为消特机，它以低正向电压降（VF）和高效率、低功耗著称。

1. 应用领域

• • 肖特基二极管适用于低压场合，如高频转换器和逆变器。
  • 适用于续流、二次整流和快速保护等场合。

1. 封装信息

• • 介绍了SMA封装，这是表面贴装技术中的一种常见封装形式。
  • 提供了订购信息，包括产品名称（如SS12、SSU2）和表面的丝印标记（如SSU）。

1. 极限电气参数

• • 强调了在25°C环境下测量的参数，包括最大重复反向峰值电压和最大平均正向电流。
  • 提供了非重复正向冲击电流的数据，这是在特定条件下测试的参数。
  • 环境参数

• • 存储温度范围为-65°C至150°C。
  • 运行温度范围为-65°C至125°C。

1. 耗散功率（PD）

• • 介绍了二极管的耗散功率为1.1瓦，这是在特定条件下的最大功率。
  • 功率 =导通的压降的平方*导通的电阻，不是二极管两端的电压和电流，是导通临界点的。

1. 热阻（Rth）

• • 解释了热阻的概念，即内部结温与外部环境温度的温差。
  • 提供了计算内部结温的公式，强调了结温不得超过125°C。

1. 正向导通电压（VF）

• • 讨论了不同型号二极管的正向导通电压，如SS12/14为0.5V，SS15/16为0.7V，SS18/19/100为0.85V。不同温度条件下，不同的电流条件下，正向的导通的压降都会不一样。

1. 反向电流（IR）

• • 描述了二极管的最大反向电流，也称为漏电流，强调了漏电流越小越好。

1. 温度对二极管特性的影响

• 讨论了温度对二极管导通开启电压和漏电流的影响，指出温度升高会导致漏电流增加。

1. 正向电流曲线

• 提供了不同温度下的正向电流曲线，展示了开启电压和温度的关系。，不同的二极管的这个差距很大，比如下面的两个的对比：

1. 峰值冲击电流

• • 描述了二极管能够承受的峰值冲击电流，以及在不同频率下的抗冲击电流关系曲线。

1. 导通压降和电流的情况，类似于伏安特性曲线。

1. 反向电压与结电容的关系

• • 展示了反向电压与结电容之间的关系，指出反向电压增加时结电容减小。

1. 温度特性曲线

• • 提供了多个温度特性曲线，强调了温度对二极管特性的影响。

补充说明

• 数据手册的重要性：数据手册提供了二极管的详细参数和特性，对于电路设计和应用至关重要。
• 设计考虑：在设计电路时，需要考虑二极管的温度范围、耗散功率和热阻，以确保器件在安全范围内工作。
• 参数测试条件：手册中的参数通常在特定条件下测试，设计时需要考虑实际应用环境的差异。

应用及选型：

防反接：反向耐压，以及可以持续正常工作的电流：