执行任何Flash编程操作（擦除或编程）时，CPU时钟频率(HCLK)不能低于1 MHz。如果 在Flash 操作期间发生器件复位，无法保证Flash中的内容。

在对STM32F4的Flash 执行写入或擦除操作期间，任何读取Flash的尝试都会导致总线阻 塞。只有在完成编程操作后，才能正确处理读操作。这意味着，写/擦除操作进行期间不能从Flash中执行代码或数据获取操作。

STM32F4 用户闪存的编程一般由6个32位寄存器控制，他们分别是：

⚫ FLASH访问控制寄存器(FLASH_ACR)

⚫ FLASH秘钥寄存器(FLASH_KEYR)

⚫ FLASH选项秘钥寄存器(FLASH_OPTKEYR)

⚫ FLASH状态寄存器(FLASH_SR)

⚫ FLASH控制寄存器(FLASH_CR)

⚫ FLASH选项控制寄存器(FLASH_OPTCR) STM32F4 复位后，FLASH编程操作是被保护的，不能写入FLASH_CR寄存器；通过写入 特定的序列（0x45670123和0xCDEF89AB）到 FLASH_KEYR寄存器才可解除写保护，只有在 写保护被解除后，我们才能操作相关寄存器。 FLASH_CR的解锁序列为：

（1）写0x45670123到FLASH_KEYR

（2）写0xCDEF89AB到FLASH_KEYR

通过这两个步骤，即可解锁FLASH_CR，如果写入错误，那么FLASH_CR将被锁定，直 到下次复位后才可以再次解锁。

STM32F4 闪存的编程位数可以通过 FLASH_CR 的 PSIZE 字段配置，PSIZE 的设置必须 和电源电压匹配，见表：

一、Flash 操作的关键限制条件

1. CPU 时钟要求执行 Flash 擦除 / 编程时，HCLK（CPU 时钟）不能低于 1 MHz，否则操作会失败，甚至可能损坏 Flash。
2. 复位风险如果在 Flash 操作过程中发生复位，Flash 中的数据 / 代码可能会损坏，因此操作时要尽量避免复位或断电。
3. 总线阻塞问题在擦除 / 写入期间，任何对 Flash 的读取操作都会导致总线阻塞，直到操作完成才能恢复。这意味着：
   • 不能在擦除 / 写入时，同时从 Flash 中执行代码或读取数据
   • 通常需要把擦除 / 写入的关键代码放到 RAM 中执行，避免 “操作期间读取 Flash” 导致死锁

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二、Flash 编程控制寄存器解析

STM32F4 的 Flash 操作主要由 6 个 32 位寄存器控制，每个寄存器的作用如下：

寄存器名	核心作用
FLASH_ACR	Flash 访问控制寄存器，配置等待周期（LATENCY）、预取缓冲、缓存等
FLASH_KEYR	Flash 密钥寄存器，用于解锁 Flash 写保护，必须按顺序写入特定密钥
FLASH_OPTKEYR	选项字节密钥寄存器，用于解锁选项字节的修改权限
FLASH_SR	Flash 状态寄存器，标记操作是否完成、是否发生错误（如编程错误、擦除错误）
FLASH_CR	Flash 控制寄存器，控制擦除 / 编程操作的启动、扇区选择、操作类型（字 / 半字 / 字节）
FLASH_OPTCR	选项控制寄存器，配置读保护、BOR 级别、看门狗等选项字节参数

三、Flash 编程的标准流程（关键步骤）

结合这些寄存器，Flash 擦除 / 写入的标准流程是：

1. 解锁 Flash 写保护向 FLASH_KEYR 依次写入密钥 KEY1 = 0x45670123、KEY2 = 0xCDEF89AB，解除 Flash 的写保护。
2. 等待 Flash 操作空闲检查 FLASH_SR 寄存器的 BSY 位，确保没有正在进行的 Flash 操作。
3. 擦除目标扇区在 FLASH_CR 中设置：
   • SER 位（扇区擦除模式）
   • SNB 位（选择要擦除的扇区号）
   • STRT 位（启动擦除）等待擦除完成（检查 BSY 位）。
4. 写入数据在 FLASH_CR 中设置：
   • PG 位（编程模式）
   • PSIZE 位（设置数据宽度：字节 / 半字 / 字）向目标地址写入数据，等待操作完成。
5. 上锁 Flash操作完成后，向 FLASH_CR 的 LOCK 位写 1，重新锁定 Flash，防止意外修改。

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四、关键注意事项

• 擦除是前提：Flash 只能把位从 1 改成 0，要修改已写入的数据，必须先擦除整个扇区（擦除会把扇区所有位恢复为 1）。
• 地址对齐：写入数据的地址必须和数据宽度对齐（如 32 位写入时，地址必须是 4 字节对齐）。
• 错误处理：操作后要检查 FLASH_SR 的错误标志（如 PGERR、WRPERR），及时处理编程错误或写保护错误。

补充：

一.编程位数是什么？

编程位数（也叫并行位数 / PSIZE），是 STM32F4 Flash 写入操作时，一次能同时写入的数据宽度，它决定了每次编程操作的效率和硬件支持的电压范围。

1. 核心概念

PSIZE 是 FLASH_CR 寄存器里的配置位，它的取值和供电电压强绑定，不同电压下，Flash 控制器能支持的 “并行写入位数” 不同：

• PSIZE=00（x8）：一次写入 8 位（1 字节），仅在 1.8V~2.1V 下支持
• PSIZE=01（x16）：一次写入 16 位（半字），仅在 2.1V~2.7V 下支持
• PSIZE=10（x32）：一次写入 32 位（字），仅在 2.7V~3.6V 下支持（开发板常用 3.3V 时用这个）
• PSIZE=11（x64）：一次写入 64 位（双字），仅在 2.7V~3.6V 且使用外部高压 Vpp 时支持

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2. 为什么要这么设计？

Flash 存储单元的编程操作需要特定的电压和电流条件，供电电压越高，控制器能驱动的并行单元越多，一次写入的数据宽度就越大：

• 电压低时，只能提供较弱的编程电流，一次只能驱动 8 位 / 16 位单元
• 电压高时（如 3.3V），可以提供足够的电流，一次驱动 32 位甚至 64 位单元
• 外部高压 Vpp 模式下，能提供更高的编程电压，支持 64 位并行写入，效率最高

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3. 实际开发中的影响

1. 写入效率并行位数越高，写入速度越快：

   • 同样写入 4 字节数据，x32 模式下只需要 1 次操作，x8 模式下需要 4 次操作
   • 开发板 3.3V 供电时，设置 PSIZE=10（x32）是效率最高的选择

2. 地址对齐要求写入地址必须和并行位数对齐：

   • x32 模式：写入地址必须是 4 字节对齐（地址末 2 位为 0）
   • x16 模式：写入地址必须是 2 字节对齐（地址末 1 位为 0）
   • x8 模式：无对齐要求（可写入任意地址）

3. 电压匹配限制必须严格按照表格设置 PSIZE：

   • 3.3V 供电设置 PSIZE=10（x32），如果强行设置 PSIZE=11（x64），在无外部 Vpp 时会导致写入失败
   • 低电压下强行设置高并行位数，会因为电流不足导致写入错误或 Flash 损坏

    4. 代码配置示例（寄存器版）

// 解锁Flash
FLASH->KEYR = 0x45670123;
FLASH->KEYR = 0xCDEF89AB;

// 配置PSIZE（3.3V供电设置为x32，即PSIZE[1:0] = 10）
FLASH->CR &= ~(0x3 << 8); // 清除PSIZE位
FLASH->CR |= (0x2 << 8);  // 设置PSIZE=10（x32）

// 启动编程模式
FLASH->CR |= FLASH_CR_PG;

四.位数 和 地址 的强制规则（必须遵守）

规则 1：写多少位，地址就要按多少位对齐

编程位数	一次写多大	地址必须满足	例子（合法地址）
x8（8 位）	1 字节	任意地址	0x08000000、0x08000001、0x08000002
x16（16 位）	2 字节	地址能被 2 整除	0x08000000 ✅ 0x08000002 ✅
x32（32 位）	4 字节	地址能被 4 整除	0x08000000 ✅ 0x08000004 ✅
x64（64 位）	8 字节	地址能被 8 整除	0x08000000 ✅ 0x08000008 ✅

最关键（你 99% 会用到）

3.3V + x32 模式👉 地址必须是 4 的倍数！👉 地址最后两位必须是 00例如：

• 0x0800 0000 → ✅ OK
• 0x0800 0004 → ✅ OK
• 0x0800 0008 → ✅ OK
• 0x0800 0001 → ❌ 错误！不对齐