维得 WD8837LA 高性能 H 桥电机驱动器

WD8837LA是维得半导体推出的高效H桥电机驱动器，工作电压1.5-7V，输出电流1.8A（峰值2.5A）。采用DFN2x2-8封装，具有0.24Ω/0.16Ω超低导通电阻和0.05μA待机电流，支持正转/反转/滑行/制动四模式控制。内置165℃热关断保护，适用于智能锁、水表等电池供电设备。该芯片逻辑兼容性强，外围电路简单，能显著降低系统功耗和成本。

维得半导体

308人浏览 · 2026-04-21 20:15:00

维得半导体 · 2026-04-21 20:15:00 发布

一、产品概述

WD8837LA是维得半导体推出的一款高性能H 桥电机驱动器，工作电压范围 1.5V 至 7.0V，可提供高达1.8A的连续输出电流。通过两个逻辑输入引脚控制，支持正转、反转、滑行、制动四种输出模式。超低待机功耗，当两个输入均为低电平时可实现极低的静态电流。

该芯片采用DFN2x2-8紧凑封装，具有超低 MOSFET 导通电阻（Rhs=0.24Ω, Rls=0.16Ω），内置热关断保护，适用于智能锁、水表、玩具等多种电机驱动应用。

二、核心特性

宽电压范围：1.5V ~ 7.0V，兼容多种电池供电系统
高输出电流：1.8A 连续输出，2.5A 峰值电流能力
超低导通电阻：Rhs=0.24Ω, Rls=0.16Ω，降低功耗提升效率
四模式控制：正转、反转、滑行（Coast）、制动（Brake）
逻辑兼容：适合宽范围 MCU 控制逻辑，输入带滞回
超低待机：待机模式电流仅 0.05μA，节能省电
热保护：内置热关断保护（165℃），提高可靠性
紧凑封装：DFN2x2-8 封装，节省 PCB 空间

三、功能框架图

逻辑真值表：

INA	INB	OUTA	OUTB	功能（直流电机）
L	L	Hi-Z	Hi-Z	滑行或待机
L	H	L	H	反转
H	L	H	L	正转
H	H	L	L	制动

电参数特性

参数	符号	条件	典型值	单位
工作电源电压	VDD	-	1.8 ~ 6.5	V
待机电源电流	Iq0	INA=INB=0V	0.05	μA
工作电源电流	Iq1	至少一个输入=3.3V，无负载	60	μA
输入高电平	VIH	-	2.0	V
输入低电平	VIL	-	<0.8	V
输入下拉电阻	RIN	-	150	kΩ
HS 开关导通电阻	Rhs	ILOAD=1000mA	0.24	Ω
LS 开关导通电阻	Rls	ILOAD=1000mA	0.16	Ω
输出使能时间	T1	-	200	ns
输出禁用时间	T2	-	400	ns
死区时间	-	-	300	ns
热关断阈值	-	-	165	℃
热关断迟滞	-	-	30	℃

封装与管脚

封装形式：DFN2x2-8
封装尺寸：2.0mm × 2.0mm × 0.75mm (典型值)
管脚数量：8 引脚
工作温度：-40℃ ~ +85℃（结温最高 150℃）

管脚	名称	功能描述
1	VDD	电源电压，需接去耦电容防止电压尖峰
2	OUTA	输出 A，连接电机绕组
3	OUTB	输出 B，连接电机绕组
4,9	GND	接地（散热焊盘也是 GND）
5	INB	逻辑输入 B，内置大下拉电阻
6	INA	逻辑输入 A，内置大下拉电阻
7,8	NC	无连接

四、应用注意事项

电容配置：4.5V 应用：推荐使用≥1μF 贴片电容6V 应用：推荐使用 220μF+100nF 大电容电容应靠近 VDD 引脚放置，GND 连线尽量短
低压应用：一般低压应用可省略 C1、C2、C3 电容，简化设计降低成本
静电防护：芯片对静电敏感，包装、运输、加工过程需采取防静电措施
峰值电流：电机启动时峰值电流建议不超过 2.5A
堵转保护：电机堵转峰值电流过大可能烧毁芯片，需设计保护电路