选择驱动的一个重要参数是驱动 MOS的最大峰值电流 Ipeak ，在开通、关断电阻取值一致并且电路回路一致的情况下，可通过下式来估算最大峰值电流：

式中，0.7 为峰值电流的校正因数；Ipeak  为驱动器必须提供的峰值电流（A）；UGE,max  为用于开通 MOS的正栅极电压（V），UGE,min  为用于关断 MOS的负栅极电压（V）； RGext  为外部栅极电阻（Ω）。

接下来给出以英飞凌 IGBT 单管 IKQ75N120CH7 芯片为例的栅极驱动器设计案例。根据 Datasheet，IKQ75N120CH3 的推荐外部栅极导通、关断电阻均为 6 Ω（数据手册一般都给），ΔUGS=30 V ，可通过计算得到：

因此可以根据峰值电流对驱动芯片进行选型，如 IXYS 公司的 IXD614SI，其最大输出直流电流为 4 A，满足驱动电流要求。

所以，综上，在选择驱动芯片的时候，最重要的一点就是驱动芯片能提供的最大电流要超过MOS需要的最大驱动电流，即驱动芯片要有足够的“驱动能力”。 驱动芯片手册通常会标注其能承受的拉电流和灌电流的最大能力，下图展示了TI双通道隔离驱动芯片 UCC21530-Q12中对拉灌电流峰值的描述。